一、含铊最高的十种？
含铊的东西有：烟花、光敏光电管、杀虫剂、压汞铊灯、低温温度计、光学玻璃硫酸铊、硝酸铊、醋酸铊、碳酸铊、磷酸铊、氧化铊、氯化铊、溴化铊、碘化铊、氢氧化铊、甲酸铊、乙酸铊等 。
铊是元素周期表中第6周期ⅢA族元素，在自然环境中含量很低，是一种伴生元素。
铊在盐酸和稀硫酸中溶解缓慢，在硝酸中溶解迅速。其主要的化合物有氧化物、硫化物、卤化物、硫酸盐等，铊盐一般为无色、无味的结晶，溶于水后形成亚铊化物。 保存在水中或石蜡中较空气中稳定。
铊被广泛用于电子、军工、航天、化工、冶金、通讯等各个方面 ，在光导纤维、辐射闪烁器、光学透位、辐射屏蔽材料、催化剂和超导材料等方面具有潜在应用价值。
二、x射线传感器和ccd相机的区别
X射线传感器？？应该是X射线探测器吧！！
X射线探测器包括很多种类别。不知道你说的是那种。
就拿常见的X射线探测器来说吧，晶体有钨酸隔的，有碘化铯的，有硫氧化噶的，他们都是X光转换成可见光，后进过光电二极管，经过放大等一些列处理后形成数字信号，传给计算机的。
CCD相机？是普通的照相机还是无损射线照相机？从你的问题补充的来看，多半理解你的意思，是无损检测的CCD摄像机。
CCD：有闪烁体或荧光体加上光学镜头再加CCD（charge couping device）构成 。影像形成分成两步完成，第一步，x 射线经过闪烁晶体（碘化铯或磷）产生可见光，第二步，可见光经光电转换由CCD转变成电荷。
比较：
1、 技术比较
1.1非晶硅平板探测器
由闪烁体或荧光体层涂上有光电二极体管作用的非晶硅层加上TFT阵列构成，矩阵中的最小单元（像素）是由薄膜非晶态硅制成的光电二极管，用以将光转换成电荷沉积。在光电二极管矩阵上被覆有掺铊的碘化铯闪烁光电晶体。透过被检体后的入射X线，激发光电二级管产生电流，随之就在光电二极管自身的电容上积分形成储存电荷，每一像素的存储电荷量和与之对应的范围内的入射X线光子能量和数量成正比，非晶硅平板探测器的技术难点，结构性CSI的制造工艺比较复杂，且需光敏二级管。
1.2、非晶硒平板探测器
用非晶硒涂覆在TFT阵列上，透过被检体后的入射X线再硒层中产生电子――空穴对，在外施偏压的电场作用下，电子和空穴向相反的方向移动形成电流，随之在TFT 积分形成存储电荷。平板薄膜晶体管（thinfilm transistor TFT）技术制成高分辨率实时成像板采集图像。非晶硒平板探测器的技术难点，要外加数千伏高压，这会对TFT 开关构成威胁
1.3、CCD探测器
有闪烁体或荧光体加上光学镜头再加CCD（charge couping device）构成 影像形成分成两步完成，第一步，x 射线经过闪烁晶体（碘化铯或磷）产生可见光，第二步，可见光经光电转换由CCD转变成电荷。CCD 技术难点，光能损耗失和和光学镜头的几何失真。
2性能比较
非晶硒平板探测器是真正意义上的直接数字化摄影，因为在影像形成过程中，无可见光产生，因而不会因可见光的散射和折射造成光能的损耗和曝光剂量的增加以及光学几何失真，高分辨率实时成像。
非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器一样是大面积的平板结构。无需放大，无几何失真。
CCD 探测器，单个CCD芯片可以做成，5*5cm 这可以使得像素数增加，可达1700万像素，平行光和CCD的感应光层采用氧化锡硒材料来增强可见光的传输率，可使得光能损耗损耗到最低，几何失真降到最小，具有成像速度快，曝光剂量小的特点。
3稳定性比较
硒和硅在自然界中是以晶体的形态存在的 ，故而非晶态硒和硅在常温下的稳定性较差，平板非晶硅和硒对环境 温度要求比价高，设备的准备时间比价长，CCD探测器技术，早非晶硅和硒平板约30年，故而比较成熟，对环境的要求不高，设备的准备的时间比较短。
三、CSI与LiI谁的溶解度大？为什么呢？
根据Law of matching water affinity, Cs和I具有相似的亲水性，因此它们容易成为离子对而中和对方的电荷，这样它们不容易水合，从而溶解度较小。而Li通常会和水强烈水合形成四配位的Li(H2O)4，溶解度较大。
四、X-RAY CCD 相机都用到闪烁体列阵吗
不一定。一些低端的探测器，都是用普通的可见光CCD上面覆盖闪烁体（碘化铯、碘化钠----将X光转换成可见光）来实现的。这种应用成像效果差，光学分辨率低。
一些高端应用应该是在CCD的结构上做的处理，不是用的闪烁体。