什么是二象限硅光电池探测器

一般都是做成四象限硅光电探测器，做成二象限硅光电探测器的很少见。

四象限硅光电探测器是一种位置探测器，将被探测的光源成像在四象限硅光电探测器表面上形成一个光电，当光电偏离探测器表面的中心时，探测器输出就会不平衡，可以根据两个方向的不平衡数值来确定光源的位置。

四象限硅光电探测器最著名的应用是用来制造激光制导炸弹的目标探测器，在工业上，也用来检测光源或其它物体的位置。

二象限硅光电探测器只能探测一个方向的偏移，所以应用少一些。

PSD位置探测原理与特性是什么？

PSD 是基于横向光电效应的光电位置敏感器件。横向光电效应又称侧向光生伏特效应或殿巴（Dember）效应。半导体光照部分吸收入射光子能量后产生电子空穴对，使该部分载流子浓度高于未被光照部分，因而出现了载流子浓度梯度，形成载流子的扩散。由于电子迁移率比空穴的大，因此电子首先向未被光照部分扩散，致使光照部分带正电，未被光照部分带负电，两部分之间产生光生电动势的现象称为横（侧）向光生伏特效应。当有光照射到 PSD 感光区，就会发生横向光电效应，在投射位置上就会产生电动势。由于 P 层的阻抗是均匀分布的，这样在 P 层两电极上聚集的光电流入射光位置和电极之间的距离成反比。假设光束入射到光敏面所产总的光电流为 I0，P 层两电极输出的光电流分别为 I1 和 I2，显然有 I0= I1+I2，I1 和 I2 的分流大小关系取决于入射光点的位置到电极间的等效电阻。