一、硅锗砷化镓哪个带隙宽禁带宽度越大，少数载流子浓度的温度灵敏度怎么样
1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流锗管mA级硅管nA级相同温度锗ni比硅ni要高约三数量级所相同掺杂浓度硅少浓度比锗少浓度低故硅管反向饱电流Is
2） 向电压通二极管电流向电压达某数值Ur电流才明显增通电压Ur称二极管门限电压称死区电压或阈值电压由于硅二极管Is远于锗二极管Is所硅二极管门限电压于锗二极管门限电压般硅二极管门限电压约0.5V~0.6V, 锗二极管门限电压约0.1V~0.2V
二、硅和锗都位于金属和非金属的交界处,都可以做半导体材料.这句话对！
这句话对的，不是说他们隔开了，交界处那边的元素性质有点像金属又有点像非金属，锗自然是金属，金子旁的字都是金属，只不过它有点非金属的性质
三、硅二极管和锗二极管有什么异同？
硅和锗两种二极管的特性曲线，两者有以下几点差异：
1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。
2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。
四、硅化镁是强碱吗
这里的强碱不是平时意义上的电离出氢氧根 这里是根据酸碱质子理论得出的结论 凡是能够接受质子的物质，无论它是分子、原子或离子，都是碱而硅化镁可以从化学性质十分稳定的烷烃中夺取质子所以是强碱
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