一、热电材料有哪些？
电热材料的选择可依其运作温度分为三类：
(1)碲化铋及其合金：这是被广为使用于热电致冷器的材料，其最佳运作温度<450℃。
(2)碲化铅及其合金：这是被广为使用于热电产生器的材料，其最佳运作温度大约为1000℃。
(3)硅锗合金：此类材料亦常应用于热电产生器，其最佳运作温度大约为1300℃。
随着纳米科技相关研究蓬勃发展，热电材料应用的相关研究亦是欧美日各国在纳米科技中全力发展的重点之一。
二、硅基半导体材料？
是以硅材料为基础发展起来的新型材料。包括绝缘层上的硅材料、锗硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅为基底异质外延其他化合物半导体材料等。
第一代半导体以硅（Si）和锗（Ge）为代表，当前全球绝大多数的半导体器件均以硅为基础材料制造，占据着半导体产业90%以上的市场份额。
第二代半导体以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等化合物为代表，这类半导体主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。
第三代半导体以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等化合物为代表，又被称为宽禁带半导体材料，应用场景主要分布在功率和射频领域。与前两代半导体材料相比，第三代半导体具备更宽的禁带宽度、饱和电子漂移速率高、更高的击穿电场、导热率高等优点。
三、什么是“半导体”和“超导体”？
半导体（ semiconductor）指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。
超导体（英文名：superconductor），又称为超导材料，指在某一温度下，电阻为零的导体。码凳在实验中，若导体电阻的测量值低于一个极小值，可以认为电阻为零。
半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。
人类最初发现超导体是在1911年，这一年荷兰科学家海克・卡末林・昂内斯（Heike Kamerlingh Onnes）等人发现，汞在极低的温度下，其电阻消失，呈超导状态。此后超导体的研究日趋深入，一方面，多种具有实用潜力的超导材料被发现，另一方面，对超导机理的研究也有一定进展。
扩展资料：
超导体基本特性：
一、完全导电性
完全导电性又称零电阻效应，指温度降低至某一温度以下，电阻突然消失的现象。完全导电性适用于直流电，超导体在处于交变电流或交变橡姿磁场的情况下，会出现交流损耗，且频率越高，损耗越大。
二、完全抗磁性
完全抗磁性又称迈斯纳效应，“抗磁性”指在磁场强度低于临界值的情况下，磁力线无法穿过超导体，超导体内部磁场为零的现象，“完全”指降低温度达到超导态、施加磁场两项操作的顺序可以颠倒。
三、通量量子化
通量量子化又称约瑟夫森效应，指当两层超导体之间的绝缘层薄至原子尺寸时，电子对可以穿过绝缘层产生隧道电流的现象，即在超导体梁模绝（superconductor）―绝缘体（insulator）―超导体（superconductor）结构可以产生超导电流。
参考资料来源：
百度百科―超导体
百度百科―半导体
超导体就是电阻为零的导体，实际尚未发现，现在所谓的超导体为那类电阻非常小的导体的简称
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。
半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光闷好敏电阻等。
半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。
把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散嫌运作用芹罩梁和漂移作用的动态平衡。
导体 绝缘体伏茄 半导数磨体 超导体区薯厅斗别
半导体是指常温下导电性介于导体和绝缘体之间的材料。主要的半导体材料有硅、锗、砷化镓、硅锗覆合材料等。半导体通过电子传导或空穴(电洞)传导的方式传输电流。游升配其中空穴是为方便理解而假想出来的粒子，实际并不存在。
超导体是在一定温度下电阻几乎完全消失的物体。
导体的电阻消失（在仪器测量的精度内，电阻为零）的现象被称为超导现象。具有超导现象的材料被称为超导体，而对应于某一超导体电神指阻突然消失的温度被称为该材料的超导临界转变温度，一般用Tc来表示。
超导体笑槐有两个基本特性。超导体的基本特性之一是零电阻；超导体的另一个基本特性是完全抗磁性。也就是说超导体在处于超导状态时，可以完全排除磁力线的进入。即迈斯纳效应
导体是能电离的物体，半导体是在一定条件下能电离的物体，绝缘体是不能被电离的物体，超导体是能被完全电离的物体。在超低温之下，物体电荷之间的吸力骤减，电子更容易被电离，有的物体甚至能被完全电离，这就是超导了。在高温条件下，许多物质电荷之间的吸力减弱，就像磁铁在高温下吸力减弱一样，能不能在高温区寻找超导呢？也许比较困难，温度低了电子不能被完全电离，温度高了导线就熔化了，当然液体也可以作为导体。从理论上来说，常温下质子与电子结合最紧密，不可能存在超导，否则以原子为基础的物质就不能形成。在超低温和超高温，质子与电子的结合都比较松散，这是形成超导的条件。不过在超高温条件下电流能否形成，这是需要实验进行验证的，不妨让电流通过液态铁试试。
半导体有，做成二极管，三极管，然后组成逻辑电路，好象有一个逻辑电路叫什么的，给忘了，然后那个电路有记忆功能。
超导技术的研究是当代科技中的一项重大课题。随着“低温”超导材料研究开发难度的增大，兴起了“高温”超导材料的研究开发。
早在1911年，荷兰科学家昂尼斯用液氮冷却水银，当温度降到-2690C左右时，发现水银的电阻空气完全消失，这种现象称为“超导”现象，所有具有这种零电阻的材料称为超导体。由于超导体具有两大宏观特征，即零电阻和完全抗磁性，因而它可以输送大电流不发热，几乎不损耗能量。但是在1911年之后的70多年里，科学家所研制的超导体一直处在低温下，最高温度只有23．2K。直到80年代后期，发现了转变温度达35K的镧钡铜氧化物之后，世界性的“高温”超导材料的研究开发热才蓬勃发展起来。从1987年到现在，美、中、日三国都相继发现了转变温度100K的超导材料。当前，世界各国在高温超导材料研究方面竞争十分激烈，都希望率先找到常温条件下的高温超导材料。我国对超导材料的探索，以及相关的材料科学基础性研究方面一直保持或接近世界前沿。1998年7月24日，北京有色金属研究总院研制成功我国第一根由铋系高温超导材料制造的输电电缆，性能达到世界先进水平。
高温超导材料的应用必将导致一场新的技术革命，其意义不亚于半导体材料。这是因为超导材料的应用领域较广：①电力输送。可以不加压输电，电能损失可减少10％以上，电费开支可节省15％以上。据测算，单是超导输电的实现就可使美国一年节省价值100亿美元的电力。②受控热核聚变反应装置。其反应过程中的温度高达1亿摄氏度，目前还没有任何装置能约束这种极高温的反应过程，而将来用超导体产生的超强磁场可有效地控制这种反应过程。③超导磁悬浮列车。这种列车打破了传统的轮轨接触方式，它是在没有轮子的车厢上和轨道上安置线圈，电流通过时使之产生相斥的磁场将车厢抬起悬浮状，以线形电机推动车厢前进。这种列车没有轮轨接触滚动的阻力，列车行驶速度大大提高，时速可达500多公里。如北京到广州，只需要4个多小时。另外，用超导电动汽车取代燃油汽车，全世界每年可节省燃油10亿吨以上，并可大大减少噪音和环境污染。④超导电子计算机。用超导芯片将大大提高计算机的运算速度，并减少体积。美国IBM公司研制的一台运算速度为8000万次/秒的超导计算机，体积只有一部电话机大小，其元件不发热，可长时间高效率运行。 电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10-5～107欧・米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（图 1 ）。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成族敬岁的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子兆睁-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。
半导体中杂质 半导体中的杂质对稿滑电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。
PN结 P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在 PN 结两侧的积累，形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，P区和N区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。由于P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。
PN结具有单向导电性，半导体整流管就是利用PN结的这一特性制成的。PN结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势，称光生伏打效应，可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、PN结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了PN结的特性。
什么是半导体呢？
顾名思义：导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．
物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。