一、半导体氧化工艺详细
常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。 %D%A 此外，还有非晶态和液态半导体材料，这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。
二、邹世昌的离子束技术
20世纪70年代初，经受过“文化大革命”批判的邹世昌回到了研究工作岗位，此时他的研究领域已转到研究离子束与固体材料的相互作用及其在半导体材料与器件方面的应用。当时“文化大革命”还在继续，能用的设备是国内制造的第一台20万电子伏特能量离子注入机，性能很不稳定。邹世昌先参加了CMOS集成电路（电子手表分频器）阈值电压控制的后期部分工作，这是在中国首次将离子注入应用于半导体集成电路。1974 年与上海原子核研究所合作在该离子注入机上配置束流准直器及精密定角器，建立了背散射能谱测量及沟道效应分析系统，应用于离子注入半导体的表面层组分浓度分布的测定、晶格损伤的分析以及掺杂原子晶格定位，于1975年完成了氖离子背面注入损伤吸收硅中重杂质以改善p-n结反向漏电特性的研究工作。同年9月，邹世昌在西德卡尔斯鲁厄“离子束表面分析”国际学术会议上发表了这篇论文，引起国际同行好评。令他们十分惊讶的是国际上一般都要用百万以上电子伏特能量加速器及精密仪器进行的实验，中国竟在自制的设备上完成了。这是中国第一篇在国际学术界发表的利用离子背散射能谱分析开展半导体研究的论文。1978年又与上海光机所合作在国内率先开展了半导体激光退火的研究工作。在建立了上述技术的基础上，邹世昌领导的离子束实验室对离子束与固体材料的相互作用进行了系统的研究并应用于材料的改性、合成、加工、分析，陆续完成了以下一些研究工作。（1）半导体离子注入：研究了离子注入硅的损伤及其退火行为，独创性地提出了用二氧化碳激光从背面照射对离子注入半导体进行退火及合金化的新方法，这项工作获中国科学院1982年重大科技成果二等奖。研究了用双离子注入的办法在磷化铟中得到了最高的载流子浓度及掺杂电激活率，并用全离子注入技术率先研制出国内第一块120门砷化镓门阵列电路和高速分频器，获中国科学院1990年科技进步奖一等奖。
（2）SOI技术：对SOI技术进行了系统的研究，用离子注入和激光再结晶方法合成了SOI新材料。解决了激光再结晶SOI 材料适于制作电路的表面质量问题，获得一项发明专利。在深入分析SOI材料光学效应的基础上，提出了一套非破坏性的表征技术，进而研制成功新型的CMOS/SOI电路。该项目获中国科学院1990年自然科学奖二等奖。近年来SOI材料已进入实用并将成为21世纪硅集成电路的基础技术，说明邹世昌对这一新研究领域的高瞻远瞩。
（3）离子束微细加工：研究了低能离子束轰击材料表面引起的溅射、损伤和貌相变化等物理现象，并用反应离子束微细加工在石英基片上刻蚀出中国第一批实用闪耀全息光栅，闪耀角可控，工艺重复稳定，衍射效率大为提高，这是光栅制造技术的重大突破，获中国科学院1987年科技进步二等奖与1989年国家科技进步奖三等奖。
（4）离子束增强沉积：负责国家“863高技术材料领域材料表面优化”专题，建立并掌握了可控、可预置和可重复的离子束增强沉积技术，合成了与基体有很强粘附力，低摩擦系数和高耐磨性的氮化硅、氮化钛薄膜。
由于这些成绩，邹世昌被选为国际离子束领域两个主要学术会议（离子注入技术――IIT和离子束材料改性――IBMM）的国际委员会委员。1989年被评为上海市劳动模范。
三、石家庄中电13所的光电器件部门的待遇和前景怎么样？
一、待遇
福利、待遇要看什么岗位，哪个部门；待遇在中电还是不错的，不过国企的普遍特点，工资不高，福利还可以，如果是科研项目，奖金也是很丰厚的。
二、前景
1、十三所为我国规模较大、技术力量雄厚、专业结构配套合理的综合性半导体研究所。其专业方向为半导体专业的微电子、光电子、微电子机械系统（MEMS）、半导体高端传感器、光机电集成微系统五大领域和电子封装、材料和计量检测等基础支撑领域。是工学硕士招生培养单位，联合培养博士单位。
2、十三所是专业化的研发生产，有比较先进的工艺线，是学习和见识很好的平台。
十三所产品领域：
1、射频/微波毫米波半导体器件及集成芯片，包括硅（锗硅）基、砷化镓基、磷化铟基、氮化镓基和碳化硅基的微波器件及微波单片集成电路；
2、射频/微波毫米波混合集成电路，包括射频/微波通道全系列产品及集成晶体振荡器，超低相噪晶体振荡器、星载高可靠晶体振荡器、集成晶体振荡器等;
3、射频/微波毫米波小型化模块集成模块、复杂组件和小整机，微波微系统；
4、光电子器件和集成电路，包括各种类型的半导体激光器、光探测器、LED和聚光电池、OEIC和各类光电组件、模块；
5、微（纳）机械电子系统（MEMS和NEMS），惯性MEMS产品有MEMS陀螺仪、MEMS加速度计系列产品，射频MEMS有滤波器、光开关等，光MEMS有光开关和光衰减器等产品，MEMS传感器有气体和碰撞等产品；
6、高功率脉冲开关器件及其组件；
7、特种高可靠半导体器件与电路；
8、电子封装，包括陶瓷、金属外壳及封装（微电子器件封装、光电子器件封装、MEMS封装、微波MCM微组装），陶瓷材料及基板、盒体及功能陶瓷元件、组件（汽车点火器等）；
9、半导体材料，包括磷化铟单晶材料以及硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓和碳化硅等外延材料；
10、半导体测试仪器与工艺设备；