切割铝合金的切割机的锯片钝了，怎么磨？
可以用专门的锯片研磨机。
此机械用于高速钢锯片、锯片铣刀、飞锯锯片、整体硬质合金锯片齿部的研磨，即锯片经使用变钝后，经过重新研磨锯齿后，使锯片变得跟新锯片一样锋利，锯片可反复研磨，增加锯片使用次数，延长锯片使用寿命。
其特点有：
1、操作简便、容易学习。
2、可根据不同切屑要求来改变锯齿的切削角度、齿型、齿深、能轻易地研磨出锋利的锯片。
3、可研磨多种齿型.(左右齿,圆弧齿,三角齿,高低齿)
4、可依据不同的切削要求快速调整锯片的研磨时间。
5、机头可朝上或朝下任意调摆，不须换砂轮片即可修磨倒角。
6、机械进给推爪末端焊有碳化钨片，可降低磨损：推臂经过改良设计，确保进给准确到位。
这机器磨出来的锯片很不好用啊， 而且严重缩短了锯片的使用寿命。去看看佛山奥湘的锯片磨齿机吧，磨出来的锯片跟新的一样，好多厂都用他们机器来生产新锯片，效果可想而知。
发到昆山丰金锐刀具厂，他们是专门c锯片的厂家。
不用专门机器，这个可以帮你省钱的问题你居然分都舍不得给？机器你有只是你不知道用什么磨而已
用工具磨床可以磨合金
物质之间的交互作用系数在哪查询啊？特别是单斜相二氧化锆与氧化镁的交互作用系数和单斜相二氧化锆与氧化
真空镀膜：
一种产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术用于生产激光唱片（光盘）上的铝镀膜和由掩膜在印刷电路板上镀金属膜。
在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。
蒸发镀膜 通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备结构如图1。
蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。
蒸发源有三种类型。①电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质（图1[蒸发镀膜设备示意图]）电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高频感应加热源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。③电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不低于2000[618-1]）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。
蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。
为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2[ 分子束外延装置示意图]。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜最慢生长速度可控制在1单层／秒。通过控制挡板,可精确地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。
溅射镀膜 用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。常用的二极溅射设备如图3[ 二极溅射示意图]。通常将欲沉积的材料制成板材――靶,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入 10～1帕的气体（通常为氩气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。与蒸发镀膜不同，溅射镀膜不受膜材熔点的限制,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体 (O、N、HS、CH等)加入Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉积在基片上。沉积绝缘膜可采用高频溅射法。基片装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地，一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率高于正离子，绝缘靶表面带负电，在达到动态平衡时，靶处于负的偏置电位，从而使正离子对靶的溅射持续进行。采用磁控溅射可使沉积速率比非磁控溅射提高近一个数
真空镀膜
量级。
离子镀 蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。这种技术是D.麦托克斯于1963年提出的。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。一种离子镀系统如图4[离子镀系统示意图],将基片台作为阴极，外壳作阳极，充入惰性气体（如氩）以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。正离子被基片台负电压加速打到基片表面。未电离的中性原子（约占蒸发料的95％）也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离化的蒸气分子的加速作用（离子能量约几百～几千电子伏）和氩离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度大大提高。离子镀工艺综合了蒸发（高沉积速率）与溅射（良好的膜层附着力）工艺的特点，并有很好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。
参考书目
金原粲著，杨希光译：《薄膜的基本技术》，科学出版社，北京，1982。（金原粲著：《薄膜の基本技》，京大学出版会，京，1976。）
光学镀膜材料（纯度：99.9%-99.9999%）
1. 高纯氧化物：
一氧化硅、SiO，二氧化铪、HfO2，二硼化铪，氯氧化铪，二氧化锆、ZrO2，二氧化钛、TiO2，一氧化钛、TiO，二氧化硅、SiO2，三氧化二钛、Ti2O3，五氧化三钛、Ti3O5，五氧化二钽、Ta2O5，五氧化二铌、Nb2O5，三氧化二铝、Al2O3，三氧化二钪、Sc2O3，三氧化二铟、In2O3，二钛酸镨、Pr(TiO3)2，二氧化铈、CeO2，氧化镁、MgO，三氧化钨、WO3，氧化钐、Sm2O3，氧化钕、Nd2O3，氧化铋、Bi2O3，氧化镨、Pr6O11，氧化锑、Sb2O3，氧化钒、V2O5，氧化镍、NiO，氧化锌、ZnO，氧化铁、Fe2O3，氧化铬、Cr2O3，氧化铜、CuO等。
2. 高纯氟化物：
氟化镁、MgF2，氟化镱、YbF3，氟化钇、LaF3，氟化镝、DyF3，氟化钕、NdF3，氟化铒、ErF3，氟化钾、KF，氟化锶、SrF3，氟化钐、SmF3，氟化钠、NaF，氟化钡、BaF2，氟化铈、CeF3，氟化铅等。
3. 高纯金属类：
高纯铝,高纯铝丝，高纯铝粒，高纯铝片，高纯铝柱，高纯铜，高纯铜丝，高纯铜片，高纯铜粒，高纯铬，高纯铬粒，高纯铬粉，高纯铬块，铬条，高纯钴，高纯钴粒，高纯金，高纯金丝，高纯金片，高纯金粒，高纯银，高纯银丝，高纯银粒，高纯银片，高纯铂，高纯铂丝，高纯铪，高纯铪粉，高纯铪丝，高纯铪粒，高纯钨，高纯钨粒，高纯钼，高纯钼粒，高纯钼片，高纯硅，高纯单晶硅，高纯多晶硅，高纯锗，高纯锗粒，高纯锰，高纯锰粒，高纯钴，高纯钴粒，高纯铌，高纯锡，高纯锡粒，高纯锡丝，高纯钨，高纯钨粒，高纯锌，高纯锌粒，高纯钒，高纯钒粒，高纯铁，高纯铁粒，高纯铁粉，高纯钛，高纯钛片，高纯钛粒，海面钛,高纯锆，高纯锆丝，海绵锆,碘化锆,高纯锆粒，高纯锆块，高纯碲，高纯碲粒，高纯锗，高纯镍，高纯镍丝，高纯镍片，高纯镍柱，高纯钽，高纯钽片，高纯钽丝，高纯钽粒，高纯镍铬丝，高纯镍铬粒，高纯镧,高纯镨,高纯钆,高纯铈,高纯铽,高纯钬,高纯钇,高纯镱,高纯铥,高纯铼,高纯铑,高纯钯,高纯铱等.
4. 混合料：
氧化锆氧化钛混合料，氧化锆氧化钽混合料，氧化钛氧化钽混合料，氧化锆氧化钇混合料，氧化钛氧化铌混合料，氧化锆氧化铝混合料，氧化镁氧化铝混合料，氧化铟氧化锡混合料，氧化锡氧化铟混合料，氟化铈氟化钙混合料等混合料
5. 其他化合物：
钛酸钡，BaTiO3，钛酸镨，PrTiO3，钛酸锶，SrTiO3，钛酸镧，LaTiO3，硫化锌，ZnS，冰晶石，Na3AlF6，硒化锌，ZnSe，硫化镉，硫化钼，硫化铜，二硅化钼。
6. 辅料：
钼片，钼舟、钽片、钨片、钨舟、钨绞丝。
二、溅射靶材（纯度：99.9%-99.999%）
1. 金属靶材：
镍靶、Ni靶、钛靶、Ti靶、锌靶、Zn靶、铬靶、Cr靶、镁靶、Mg靶、铌靶、Nb靶、锡靶、Sn靶、铝靶、Al靶、铟靶、In靶、铁靶、Fe靶、锆铝靶、ZrAl靶、钛铝靶、TiAl靶、锆靶、Zr靶、硅靶、Si靶、铜靶，Cu靶、钽靶，Ta靶、锗靶、Ge靶、银靶、Ag靶、钴靶、Co靶、金靶、Au靶、钆靶、Gd靶、镧靶、La靶、钇靶、Y靶、铈靶、Ce靶、、铪靶、Hf靶、钼靶、Mo靶、铁镍靶、FeNi靶、钨靶、W靶、不锈钢靶、镍铁靶，铁钴靶，镍铬靶，铜铟镓靶，铝硅靶NiCr靶等金属靶材。
2. 陶瓷靶材
ITO靶、AZO靶，氧化镁靶、氧化铁靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、硫化镉靶，硫化钼靶，二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶，三氧化钨靶，三氧化二铝靶，五氧化二钽靶，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、氟化镁靶，硒化锌靶、氮化铝靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶等陶瓷溅射靶材。
所以应该是氩气！
答案补充
摘要] 本发明公开了一种以化学气相沉积法(CVD)在玻璃表面在线制备纳米硅复合功能薄膜所必须的玻璃镀膜用混合气体及其制备方法，该混合气体由基质气体SiH4和N2以及掺杂气体CO2、N2O、C2H4、B2H6和PH3中的任一种或几种组成。由于混合气体中引入掺杂气体，因此能够较为方便地控制硅纳米复合功能薄膜中的硅晶粒大小，改进薄膜的阳光控制功能，并起到了一定的装饰效果。采用本发明的混合气体可简化薄膜的制备工艺，降低薄膜的制备成本。混合气体制备过程中采用的恒温压力配比法有效地解决了通常在混合气体配比过程中由于将真实气体作为理想气体处理而产生误差的问题，做到了混合气体中各组成气体的精确配比。
你要是有条件可以访问。。我手头暂时没有详细资料，请你谅解